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PVD真空镀膜是指钛、金、石墨、晶体等金属或非金属、气体等材料在真空中溅射、蒸发或离子镀在基体上的表面处理工艺。真空镀膜与传统化学镀法相比，具有无污染环境、环保环保、对操作人员无危害、膜厚牢固、致密、耐腐蚀性强、膜厚均匀等优点。真空镀膜技术中常用的方法有蒸发镀膜（包括电弧蒸发、电子枪蒸发、电阻丝蒸发等）、溅射镀膜（包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等），统称为物理气相沉积（PVD）。
相应的化学气相沉积（CVD）称为CVD技术。该行业俗称“IP”（离子镀）离子镀层，因为在PVD技术中，各种气体离子和金属离子参与成膜过程并发挥着重要作用，为了强调离子的作用，统称为离子镀膜。真空镀膜是一种生产薄膜材料的技术。在真空室中，材料的原子与热源分离，撞击待镀物体表面。该技术用于在光盘上制作铝膜，用掩模在印制电路板上制作金属膜。该薄膜是真空制备的，包括结晶金属、半导体、绝缘体等单一物质或复合膜的镀膜。虽然CVD也采用减压、低压或等离子体等真空方法，但真空镀膜一般指的是物理方法沉积薄膜。真空镀膜有蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀三种形式。蒸发镀膜称为蒸发镀膜，它通过加热和蒸发使物质沉积在固体表面。该方法是由法拉第提出的，于1857年，已成为常用的镀膜技术之一。蒸发材料如金属和化合物放置在坩埚中或挂在热线上作为蒸发源，待镀的基板如金属、陶瓷、塑料等放置在坩埚前面。系统泵送至高真空后，将坩埚加热蒸发。蒸发物质的原子或分子通过冷凝沉积在基底表面。薄膜的厚度可以从几百埃到几微米不等。薄膜厚度由蒸发源的蒸发速率和时间（或负载量）决定，并且与源与衬底之间的距离有关。对于大面积镀膜，通常采用旋转基板或多个蒸发源来保证薄膜厚度的均匀性。蒸发源到基体的距离应小于残余气体中蒸汽分子的平均自由路径，避免蒸汽分子与残余气体分子碰撞而引起的化学反应。蒸汽分子的平均动能约为0.1-0.2ev。
