镀膜设备全解

镀膜设备是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。

镀膜设备关键技术特点

秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。

靶材背面和溅射靶*表*面的结合处理

-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。

-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。

-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。

基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

角度可调 磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。

集成一体化柜式结构

一体化柜式结构优点：

安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）

占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。

控制系统 采用计算机＋PLC两级控制系统

安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-温度检测与报警保护

-冷却循环水系统的压力检测和流量

-检测与报警保护

匀气技术 工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。

基片加热技术

采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。

真空度更高、抽速更快

真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。

设备详情

设备结构及性能

1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱

2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容

5、基片可旋转、可加热

6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动

工作条件

供电 ～ 380V 三相五线制

功率 根据设备规模配置

冷却水循环 根据设备规模配置

水压 1.5 ～ 2.5×10^5Pa

制冷量 根据扇热量配置

水温 18～25℃

气动部件供气压力 0.5～0.7MPa

质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa

工作环境温度 10℃～40℃

工作湿度 ≤50%

设备主要技术指标

-基片托架：根据供件大小配置。

-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。

-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。

-基片架可加热、可旋转、可升降。

-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。

-Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。

-镀膜室的极限真空：6X10^-5Pa，恢复工作背景真空 7X10^-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。

-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。